Hitachi Energy a realizat o descoperire în tehnologia sa, semiconductor de putere IGBT

Succesul echipei nu numai că avansează tehnologia semiconductoare Hitachi Energy, dar oferă clienților competitivitate și capacitate sporită.

“În viitor, intenționăm să extindem platforma noastră de wafer de 300 mm pentru a suporta IGBT-uri de tensiune mai mare”, a declarat Dr. Rainer Kaesmaier, Managing Director al afacerii de semiconductori a Hitachi Energy.

Experții în semiconductori de la Hitachi Energy au realizat aceasta descoperire printr-o strânsă colaborare cu o echipă interfuncțională a managementului produselor, dezvoltarea afacerilor, cercetare și dezvoltare cu un partener de turnătorie de cipuri.

Hitachi Energy deschide calea pentru un viitor mai eficient și durabil prin depășirea continuă a granițelor și căutând noi soluții. Noul IGBT de 300 mm este o dovadă a angajamentului companiei de a stimula inovația socială în sectorul energetic în evoluție.

Dezvoltarea inovatoare crește capacitatea de producție a cipurilor și permite structuri mai complexe în tranzistoare bipolare cu poartă izolată de 1200 V (IGBT), un dispozitiv semiconductor de putere care comută rapid sursele de alimentare în aplicații de mare putere. Aplicațiile pentru IGBT includ variatoare de frecvență (VFD), sisteme de alimentare neîntreruptibilă (UPS), mașini electrice, trenuri și aparate de aer condiționat, printre altele.

Wafer-ul mai mare oferă numeroase beneficii, inclusiv potențialul de a produce peste dublu (de 2,4 ori) numărul de circuite integrate funcționale per wafer în comparație cu wafer-ul existent de 200 mm, ceea ce duce la economii semnificative de costuri. Utilizează cel mai recent design IGBT de șanț cu model fin, care are ca rezultat conversia și controlul energiei eficiente din punct de vedere energetic și reducând la minimum pierderile de putere în timpul operațiunilor.